Samsung и SK Hynix снижают темпы наращивания производства памяти

Кoмпaнии Samsung и SK Hynix, сoглaснo пoслeдним дaнным, рeшили скoррeктирoвaть свoи плaны пo рaсширeнию прoизвoдствeнныx мoщнoстeй, прeднaзнaчeнныx исполнение) выпускa микрoсxeм oпeрaтивнoй (DRAM) и твeрдoтeльнoй пaмяти (NAND). Производители сталкиваются со снижением спроса и стараются избежать потерь.

В последнее минувшее цены на микросхемы памяти в основном росли, в особенности сие касалось оперативной памяти (DRAM), только также затрагивало и твердотельную флеш-реминисценция (NAND). Однако эта состояние меняется в лучшую для потребителя сторону. Безлюдный (=малолюдный) так давно мы писали о часть, что цены на оперативную воспоминания начнут снижаться из-вслед снижения спроса, а на флеш-мнемозина — из-за избыточного производства.

И признаться, аналитики отмечают перенасыщение в рынке твердотельной памяти в третьем квартале 2018 годы, из-за чего вслед текущий квартал она может утратить в цене 10–15 %, в противном случае верить прогнозам. Более того, сызнова около 15 % цена флеш-памяти сбросит в следующем, четвёртом квартале. И даже если в начале будущего года сохранится подобная желание. В свою очередь оперативная эйдетизм пока что дешевеет протяжнее, но в следующем квартале темпы могут повыситься.

Поэтому компания Samsung радикально закономерно решила отложить инжекция в строй новых производственных мощностей объединение выпуску флеш-памяти 3D V-NAND после первой половины будущего возраст. Компания SK Hynix также решила притормозить наращивание объёмов производства твердотельной памяти 3D NAND.

Сообщается тоже, что Samsung решила переждать и с планами по расширению производственных мощностей объединение выпуску микросхем оперативной памяти 10-нм класса бери фабриках в Пхёнтхэке и Хвасоне, подобно как в Южной Корее. Изначально в ожидание Samsung входило уже в этом квартале отладить выпуск дополнительных 30 000 полупроводниковых пластин ежемесячно.

Начало:

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.