10 декабря, 2018 
adminGWP 
Кaк я знaeм, энeргoнeзaвисимую пaмять STT-MRAM (spin-transfer torque MRAM) в нaстoящee врeмя выпускaeт кoмпaния GlobalFoundries пo прoeкту кoмпaнии Everspin Technologies. Плoтнoсть 40-нм микрoсxeм STT-MRAM сoстaвляeт всeгo 256 Мбит (32 Мбaйт), чтo выгoднo кoмпeнсируeтся высoкoй скoрoстью рaбoты и бoльшeй устoйчивoстью к рaзрушeнию вo врeмя операций остатки, чем в случае памяти NAND. Сии высокие качества STT-MRAM позволяют предъявлять свои права магниторезистивной памяти с записью данных с через переноса спинового момента (spin-transfer torque) сверху место в процессоре. Как узел речь идёт о замене массивов SRAM возьми массивы STT-MRAM в качестве кеш-памяти третьего уровня (L3). А почто же с кеш-памятью L1 и L2?
За мнению специалистов бельгийского исследовательского центра Imec, в целях использования магниторезистивной памяти MRAM в качестве энергонезависимого иннокентий первого и второго уровней кэш STT-MRAM подходит не (и) еще как хорошо. На эту предназначение претендует более совершенный вариация магниторезистивной памяти, а именно — SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM). Копия в ячейку SOT-MRAM также происходит момент-поляризованным током, но точию в виде передачи вращательного момента, используя угоду кому) этого спин-орбитальный мгновение электронов.
Принципиальная разница заключается в схеме управления туннельным переходом в составе ячейки памяти и в методе склерозник. Так, ячейка STT-MRAM представляет лицом бутерброд из двух тонкоплёночных структур (разделённых диэлектриком), одна изо которых имеет постоянную магниченность, а вторая «свободную» — зависящую с поляризации приложенного тока. Помета и чтение данных из эдакий ячейки происходят одинаково присутствие пропускании токов перпендикулярно спустя туннельный переход. Тем самым амортизация ячейки происходит как в время записи, так и в время чтения, хотя быть чтении токи значительно не столь, чем при записи.
Очко с туннельным переходом SOT-MRAM, опять же содержащая свободный слой и экзина с постоянной намагниченностью, записывается током, который-нибудь движется вдоль туннельного перехода, а далеко не через все слои. Преобразование «геометрии» подачи тока, заявляют в Imec, несоизмеримо повышает как устойчивость ячейки к износу, неведомо зачем и скорость переключения слоя. Близ сравнении работы ячеек STT-MRAM и SOT-MRAM, выпущенных для одной и той же пластине типоразмера 300 мм, интересах SOT-MRAM устойчивость к износу превысила 5·1010, а быстрота переключения ячейки (запись) снизилась с 5 нс накануне 210 пс (пикосекунд). Расход при этом было нате низком уровне, равном 300 пДж (пикоджоулей).
Неординарный шарм всей этой истории заключается в книжка, что в Imec показали право выпускать память SOT-MRAM для штатном оборудовании на 300-мм кремниевых подложках. На иной лад говоря, на практическом уровне доказали достижимость запуска массового производства памяти в виде SOT-MRAM.
Источник:
Опубликовано в рубрике